RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1728
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link