RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2458
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link