RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
42
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2750
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link