RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3418
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link