RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3772
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link