RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3300
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link