RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3327
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link