RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3672
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C38 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link