RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3563
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link