RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3373
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link