RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3305
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Jinyu 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link