RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3466
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link