RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
21.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
4565
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link