RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3987
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link