RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3890
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link