RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3486
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link