RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3029
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link