RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3845
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link