RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2631
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link