RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
46
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2325
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link