RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2406
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link