RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston KMKYF9-MID 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2627
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link