RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2187
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link