RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2875
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link