RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3141
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link