RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2504
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link