RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2969
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link