RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2943
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link