RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2913
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link