RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
75
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
75
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1457
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link