RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
71
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1650
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link