Porównanie pamięci RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wynik ogólny

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 31

Wokół strony 3% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

20.5 10.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.5 6.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 8500

Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1479 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns