RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
100
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
100
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1479
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link