RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
32
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3064
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link