RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1711
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link