RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
62
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
62
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1586
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link