RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3890
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link