RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2524
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link