RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2524
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link