RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2889
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link