RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3444
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link