RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1348
3356
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link