RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
33
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2907
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link