RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3425
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link