RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
38
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
21
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3255
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link