RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
33
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2941
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link