RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
41
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
41
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2656
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link