RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2863
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link