RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
4202
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link