RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
38
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
19
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3905
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link