RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
75
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
75
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
1457
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link